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日本真空光学の技術

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世界中へ「欲しい」を届ける部材メーカー

1946年の創業以来、光学薄膜技術の向上に努め、高周波プラズマ・イオン・プロセス技術の確立など、常に技術の最先端を切り拓いてきた日本真空光学。
その卓越した光学薄膜技術力と確かな品質管理体制により生みだされた製品は家電から情報・通信、バイオ、宇宙開発など、幅広い領域で高い信頼性を得ています。

  • 幅広い成膜技術と独自開発のプロセス

    多様な成膜技術(イオンプレーティング、スパッタリングなど)を駆使し、特に独自開発のプラズマCVD技術により、紫外域から赤外域まで対応可能な成膜プロセスを提供します。

    Point 01
  • 高度な膜設計技術と柔軟な生産体制

    最適な性能を提供する最新の膜設計技術と、開発から量産まで対応可能な柔軟な生産体制で、迅速かつ柔軟に製品を提供します。

    Point 02
  • ワンストップサービスによるスムーズな製品開発

    設計から検査・評価まで一貫して提供でき、製品開発をスムーズに進めるワンストップサービスを実現しています。

    Point 03
  • 多様な分野での実績と高い技術力

    家電から情報・通信、バイオ、宇宙開発など多様な産業領域で採用される技術力と実績があります。

    Point 04

技術情報

豊富な実績から得られた要素技術を基盤に、製品のご要求に応じた最適な工程技術を組み合わせ、
お客様に十分ご満足のいただける性能、信頼性を持つ光学薄膜製品をご提供致します。

コア技術

  • 材料

    • 基板材料
    • コーティング材料
  • 設計技術

    • 光学薄膜設計
    • 工程設計
  • 成膜技術

    • 洗浄
    • 成膜
    • 膜厚制御
  • 周辺技術

    • 切断研磨
    • アッセンブリ―
    • 接着
    • 精密加工
  • 評価技術

    • 光学的評価
    • 機械的評価
    • 環境性評価
    • 耐久性評価

成膜プロセス

成膜は、薄膜を基板表面に形成する技術であり、蒸着法、スパッタリング、CVD(化学的気相法)の手法を使用しています。成膜の方法によって特性が変化し、膜質や特性に影響を与えます。それぞれの方法には独自の特徴があり、異なる材料や用途に適しています。光学薄膜は、光学機器、半導体、医療機器などの幅広い分野で使用され、重要な役割を果たしています。
薄膜の製造プロセスは、様々な方法がありますが、気相プロセスと液相プロセスに大別できます。光学薄膜においては気相プロセスが一般的です。真空蒸着法は最も基礎的な製造プロセスです。真空中で成膜材料を蒸発させ、基板表面に凝着させる方法です。成膜材料を熱源で加熱し、気体化させることで蒸発させます。この蒸気が基板表面に到達し、薄膜が形成されます。
加熱により膜密着性を向上させた加熱蒸着や、イオンにより蒸気の速度を加速させるイオンアシスト蒸着は真空蒸着が基になっております。

成膜プロセスの相関表

高周波イオンプレーティング

イオンプレーティング(ION PLATING)法は、プラズマ中に蒸発粒子を通過させ基板へ付着させる方法です。プラズマを用いることで、蒸着粒子の一部がイオン化すること、導入ガスプラズマによる成膜表面へのスパッタリング効果が得られるため、従来の真空蒸着薄膜と比べて高密度、高付着強度などの優れた性能を持つ薄膜を得ることができます。日本真空光学では独自の方式を用いて波長移動の無い信頼性の高い光学薄膜製品を作製しています。

高周波イオンプレーティングの説明図

プラズマCVD

当社のコア技術であるプラズマプロセスを応用して、独自のプラズマCVD法を開発しました。
気相からの凝縮を用いた薄膜の形成方法は、物理的気相成長法(PVD)と化学的気相成長法(CVD)に大別されます。PVD法は真空中において、熱的蒸着またはイオン衝撃によるスパッタリングによって蒸着源から作られた原子や分子気体を基板上に凝縮させ、薄膜を形成する方法です。蒸着、イオンプレーティング、IBSは、PVDに分類されます。

一方、CVD法(化学気相成長法)は、基板表面において原料気体の分解や分子間の化学反応をさせて、薄膜を析出させる方法です。CVDは熱、プラズマ、光などのエネルギーを使用し、それによって熱CVD、プラズマCVD、光CVDなどに分類されます。プラズマCVD法はCVD法の一種に分類されます。原料ガスをプラズマ分解して化学的に活性なラジカルやイオンに励起し、薄膜を形成するCVDを総称してプラズマCVDといいます。CVDは3D形状に成膜可能で、低い真空度でも成膜可能な特性を持ち、DLCの成膜も可能です。

  • 熱CVD: 原料ガスを高温の基板表面で化学反応させ、薄膜を作製する方法です。
  • プラズマCVD: 原料ガスをプラズマ状態にして活性化し、化学反応を促進する方法です。熱CVDより低い基板温度で薄膜を作製できる特徴があります。
  • 光CVD: 光を化学反応のエネルギーとして用いるCVDで、光源として各種放電管やレーザが使用されます

真空蒸着

真空蒸着とは、蒸着材料を真空中で加熱し蒸発・昇華させることで蒸気に変え、その蒸気が基板に付着したときに薄膜を形成することを利用した成膜技術です。材料を加熱する方法として、電子ビーム加熱、抵抗線加熱が選択できます。

古典的な成膜方法でありますが、フッ化物など乖離しやすい物質にも対応できる、高い成膜速度で成膜できるなどの特徴があるうえ、材料の選択性が広く幅広い製品に応用できます。

用途として、紫外域のフィルター製品や、レーザー光学素子などの製作に適しています。またアルミ、金、銀、クロムなど金属材料のコーティングにも対応します。

装置概要図

材料:SiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2, TiO2, Al2O3, ZnS, ITO, SiO, Na3AlF6, MgF2, GdF3, LaF3, YF3, YbF3, CeO, Au, Ag, Al, Cr, Ni,
基板:各種ガラス、石英、サファイア、ゲルマニウム、シリコン、カルコゲナイトガラス (上記以外でもご要望ございましたらお問い合わせください。)

イオンビームスパッタ

スパッタリングとは成膜したい材料(ターゲット)を、プラズマ状態のAr+などのイオンや原子で衝撃し、ターゲット物質を叩き出して基板に成膜するプロセスです。ターゲット材料を加熱し蒸発させ成膜する真空蒸着に比べて、ターゲット分子のエネルギーが大きいため膜の付着強度が強く、緻密な膜を形成することができます。

イオンビームスパッタは、イオンガンと呼ばれるスパッタ源をもちます。アルゴンガスに高周波(13.56MHz)を印加しガスをプラズマ化します。発生したプラズマから、格子状のグリッドと呼ばれる部品に電圧をかけることによってアルゴンイオンを引き出します。引き出されたアルゴンイオンは、ターゲット物質に衝突し、膜材料をスパッタします。スパッタされた膜材料を基板に堆積させることによって、光学多層膜を形成することができます。

イオンビームスパッタ膜は、低欠陥、低損失、平滑性が高い、低温成膜が可能などの特徴があげられます。これらの特徴から、低散乱が求められる、レーザー用素子、蛍光ラマン分析用光学素子などの作製に最適です。

対応基板サイズ:~φ200mm
膜材料: SiO2, Ta2O5, Nb2O5, HfO2, Al2O3
対応基板: 石英、ガラス、ファイバー端面、結晶材料

マグネトロンスパッタ

スパッタリングと成膜したい材料(ターゲット)を、プラズマ状態のAr+などのイオンや原子で衝撃し、ターゲット物質を叩き出して基板に成膜するプロセスです。ターゲット材料を加熱し蒸発させ成膜する真空蒸着に比べて、ターゲット分子のエネルギーが大きいため膜の付着強度が強く、緻密な膜を形成することができます。

マグネトロンスパッタリングはターゲット背面に磁石を配置し、磁場を発生させその中に電子を囲い込むことで、濃いプラズマ領域を作りターゲットを効率的にスパッタできます。蒸着源が点である蒸着と違い大面積への均一な成膜を可能とします。

装置概要図

材料:.SiO2, Ta2O5, Nb2O5 etc
基板: ガラス、石英、サファイア、シリコン etc.

レーザー耐性

レーザー加工機のような光源の出力が強いアプリケーションでは、耐レーザー性能が高いレーザーミラーや光学フィルターが必要となります。日本真空光学は業界トップレベルの高いレーザー耐性をもつレーザーミラーや光学フィルターの製作が出来ます。
レーザー損傷閾値とは、レーザーに依る損傷が発生する破壊限界エネルギー密度の事を言い、レーザー耐性の一つの指標値です。当社のHRコート(高反射膜)及びARコート(反射防止膜)のレーザー損傷閾値を下記にご紹介致します。レーザー損傷閾値試験は公益財団法人レーザー技術総合研究所様にて実施頂きました。

レーザー損傷閾値

レーザー加工機のような光源の出力が強いアプリケーションでは、耐レーザー性能が高いレーザーミラーや光学フィルターが必要となります。日本真空光学は業界トップレベルの高いレーザー耐性をもつレーザーミラーや光学フィルターの製作が出来ます。

レーザー損傷閾値とは、レーザーに依る損傷が発生する破壊限界エネルギー密度の事を言い、レーザー耐性の一つの指標値です。当社のHRコート(高反射膜)及びARコート(反射防止膜)のレーザー損傷閾値を下記にご紹介致します。レーザー損傷閾値試験は公益財団法人レーザー技術総合研究所様にて実施頂きました。

1-on-1方式でのレーザー損傷閾値 *1-on-1方式:サンプルの1ヶ所に1パルスを照射

評価波長 248 nm 355 nm 532 nm 1064 nm
AR 13.5 76 60 220
HR 8.3 57 247 269

単位:J/cm2

1000-on-1方式のレーザー損傷閾値 *1000-on-1方式:サンプルの1ヶ所に繰り返しパルス(1000回)照射 繰り返しパルス照射(1000-on-1, 100Hz)によるレーザー損傷閾値の評価においても、248nmのHR(高反射膜)にて7.6J/cm2という業界トップの値を得られております。

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